直接和間接探測(cè)
針對(duì)不同的x射線應(yīng)用,不管是影像,還是光譜,Andor都可以提供全面的CCD探測(cè)系統(tǒng)。根據(jù)應(yīng)用和能量不同,這些系統(tǒng)可以放置在真空內(nèi)使用,或者通過(guò)法蘭和真空腔相連,也可以是單獨(dú)使用。另外,如果您的應(yīng)用需要對(duì)x射線進(jìn)行間接探測(cè),Andor 也可以提供各種光纖耦合的CCD相機(jī).
Andorx射線探測(cè)方案有益于如下各種應(yīng)用:
X射線/中子斷層掃描
X射線光譜
X射線顯微
X射線光斑檢測(cè)
X射線衍射
X射線平板印刷術(shù)
X射線地形學(xué)
等離子體研究
醫(yī)療影像
湯姆森散射
X射線可以大致可以分為幾個(gè)范圍,雖然幾個(gè)范圍沒(méi)有嚴(yán)格清晰的定義,但是大致可以如下分類:
VUV 到XUV= 0.01 - 0.1 keV
XUV 到 軟X射線 = 0.1 - 1 keV
軟x射線到硬x射線 = 1 - 10 keV
硬x射線 = 10 - 100 keV
電磁波及能量
公式1:?jiǎn)挝粨Q算
直接探測(cè)
在這類應(yīng)用中,相機(jī)的感光芯片是直接暴露在入射射線中,這些射線光子被芯片中的靈敏的摻雜層所吸收,這樣就產(chǎn)生幾個(gè)電子空穴對(duì)。和間接探
測(cè)及傳統(tǒng)的膠片成像相比,這種方法有如下優(yōu)點(diǎn):
更高的量子效率
單光子的靈敏度,且無(wú)需采用EMCCD或者ICCD
更好的空間及能量分辨率
直接探測(cè)相機(jī)中的量子效率
量子效率是光子被CCD探測(cè)到的可能性概率。然而我們要記住,在對(duì)x射線束流進(jìn)行直接探測(cè)時(shí),一個(gè)入射光子,能夠產(chǎn)生幾個(gè)光電子,這樣就可以達(dá)到單光子的靈敏度。光電子產(chǎn)生的數(shù)量,和射線的能量有關(guān),參見(jiàn)公式2.
公式2: 每個(gè)光子所能產(chǎn)生的光電子
直接探測(cè)中,每個(gè)像素所能產(chǎn)生的光電子數(shù)量=x射線光子能量/3.65
下圖所示,是幾款直接探測(cè)CCD的量子效率曲線。
FI 是前照明的芯片,F(xiàn)I-DD表示深度摻雜的選項(xiàng),和前照的芯片相比,這個(gè)選項(xiàng)對(duì)于硬x射線有更好的響應(yīng)。BN是背照明的芯片,只是沒(méi)有增透膜(和BV選項(xiàng)恰恰相反),對(duì)于軟x射線和中x射線有更好的響應(yīng)。和前照明的芯片相比,BN選項(xiàng)除了有更高的響應(yīng)外,BN選項(xiàng)對(duì)于芯片的保護(hù)有大幅提高的作用,可以有效防護(hù)因?yàn)檫^(guò)飽和所造成的芯片老化。對(duì)于直接探測(cè),我們推薦BN選項(xiàng)的芯片。
CCD相機(jī)直接探測(cè)的優(yōu)缺點(diǎn):
優(yōu)點(diǎn) | 缺點(diǎn) |
空間分辨率更好 單光子的靈敏度 可以實(shí)現(xiàn)能量分辨 好的量子效率 響應(yīng)線性 高的動(dòng)態(tài)范圍 間接探測(cè) | 對(duì)于>20keV的射線,不能探測(cè) 芯片大小受限(典型值為25*25mm) 芯片會(huì)逐漸損壞 |
間接探測(cè)
當(dāng)您需要測(cè)量硬x射線,并且有如下要求時(shí):(甚至在大的縮比光錐情況下,也需要單光子的靈敏度(EMCCD是更好的選項(xiàng)))
量子效率好,且能延伸至硬x射線范圍
大面積(通過(guò)縮比光錐)
更高能量時(shí),需要高的動(dòng)態(tài)范圍
需要對(duì)CCD進(jìn)行防護(hù)時(shí)
直接探測(cè)用CCD相機(jī),是利用在光錐前端面的熒光涂層,把x射線轉(zhuǎn)換成可見(jiàn)光進(jìn)行探測(cè)。對(duì)于間接探測(cè)用CCD,它的主要性能,比如量子效率,空間分辨率等等,取決于所選熒光屏的參數(shù),比如,屏的厚度,化學(xué)成分以及顆粒大小等。
由Andor供應(yīng)商提供的*的熒光材料沉積方法,用于間接探測(cè)所用的光纖面板前,可以達(dá)到其的分辨率:和傳統(tǒng)的批量沉積方法相比,分辨率可以提高四倍。量體裁衣,能夠良好的匹配您的應(yīng)用。
示例:用于光譜探測(cè)的光纖面板,帶GdO熒光涂層 | 光纖面板鍍了熒光涂層后,能夠非常好的保護(hù)芯片避免因?yàn)閤射線而老化。通過(guò)改善熒光屏的空間分辨率,再用EMCCD來(lái)提高靈敏度,對(duì)于5keV以下的能量,就能進(jìn)行卓有成效的間接探測(cè)。 |
右圖所示,加涂了熒光層的光纖面板CCD,對(duì)于入射光子的探測(cè) 效率,系統(tǒng)增益有了大幅提高。所謂的系統(tǒng)增益,是指對(duì)于每個(gè)入射射線光子,系統(tǒng)所能測(cè)試到的光電子。這里的系統(tǒng)增益,也和熒光涂層的類型,厚度及顆粒大小有關(guān)。也與CCD芯片的量子效率和光纖面板有關(guān)。 | |
面所說(shuō)的例子,是指在1:1光纖面板的涂層。熒光涂層優(yōu)化用于5-25keV的能量,其轉(zhuǎn)換峰值在15keV。 對(duì)于大面積的,縮比的光纖錐,系統(tǒng)增益自然會(huì)下降,這時(shí),可以采用EMCCD的技術(shù)來(lái)把這種稍高高于噪聲水平的弱信號(hào)進(jìn)行放大,而讀出速度可以達(dá)到幾MHz,這對(duì)于快速的斷層掃描類的應(yīng)用非常適合。
間接探測(cè)的優(yōu)缺點(diǎn)
優(yōu)點(diǎn) | 缺點(diǎn) |
高動(dòng)態(tài)范圍 EMCCD兼容-單光子靈敏度 大靶面縮比光錐 CCD芯片被光纖面板保護(hù) 較寬的光子能量覆蓋范圍 | 低空間分辨率 低的能量分辨率 |
EMCCD在X射線探測(cè)中開(kāi)創(chuàng)性的應(yīng)用:
在x射線間接探測(cè)中,開(kāi)創(chuàng)性的方法之一,就是一代的光纖耦合的EMCCD在其中的應(yīng)用。通過(guò)大比例的縮比光纖,可以實(shí)現(xiàn)單光子的靈敏度及幾MHz的讀出速度。
Andor X射線應(yīng)用相機(jī)
編號(hào) | 描述 | 直接探測(cè)/間接探測(cè) |
DO | 耦合安裝在真空外 | 直接探測(cè)+間接探測(cè) |
DX | 真空腔內(nèi)使用 | 直接探測(cè)+間接探測(cè) |
DY | 獨(dú)立使用 | 直接探測(cè)+直接探測(cè) |
DV | VUV/XUV(到120nm) MgF2 窗口 | 直接探測(cè) |
DF | 光纖面板帶熒光涂層,幾MHz讀出,(EMCCD可用) | 間接探測(cè) |
Andor 提供一系列的CCD和EMCCD相機(jī),可以用于直接和間接探測(cè),同時(shí)具有光譜和影像類的芯片格式。多個(gè)相機(jī)設(shè)計(jì)平臺(tái),可以適用于不同種類和尺寸的芯片,從128*128的EMCCD,到2K*2K的CCD. Andor針對(duì)不同的實(shí)驗(yàn)研發(fā)了各種x射線相機(jī),系統(tǒng)包括獨(dú)立使用的相機(jī),真空腔耦合的相機(jī),或者真空腔內(nèi)使用的相機(jī)。
應(yīng)用案例研究
射線激光器研發(fā)
貝爾法斯特女王大學(xué)的等離子體與激光反應(yīng)物理研究分部的研究人員,在實(shí)驗(yàn)中采用了x射線相機(jī)。 其研究重點(diǎn)包括:
激光誘導(dǎo)等離子體(0.05-1KeV)
X射線結(jié)晶學(xué)(1KeV左右)
X射線激光研究(0.06-0.3keV)
X射線光譜(0.04-0.4keV)
研究團(tuán)隊(duì)使用了多個(gè)X射線CCD相機(jī)。在如瑟夫阿普爾頓實(shí)驗(yàn)室利用Vulcan玻璃激光器裝置,團(tuán)隊(duì)所從事的一個(gè)研究領(lǐng)域,就是研發(fā)x射線激光器。
研究所主要采用的芯片為1024*2048個(gè)像素,13um大小,背照明的量子效率。這款相機(jī)的量子效率很高,分辨率非常理想,并且靶面很大。相機(jī)采用開(kāi)口設(shè)計(jì),直接采用法蘭連接到真空腔。同時(shí)使用平場(chǎng)譜儀和CCD相機(jī)對(duì)射線激光器光束進(jìn)行分析。和相機(jī)連用的還有x射線光學(xué)器件,把x射線激光器成像到出口,從而實(shí)現(xiàn)激光器光斑的分析。
X射線激光光斑 | 另外一個(gè)研究領(lǐng)域,是對(duì)噴射電離氣體的x射 線光譜分析。在女王大學(xué),采用低溫等離子體 (0.03-0.08keV)來(lái)對(duì)成像x射線鏡 片作反射率特性分析。把Andor DO420相機(jī) 耦合到平場(chǎng)光譜儀上,等離子體及x射線反射 鏡的反射光譜就可以得到。通過(guò)把等離子源所 造成的反射光譜分開(kāi),就可以得到波長(zhǎng)所導(dǎo)致 的反射率變化。 本圖片由貝爾法斯特,女王大學(xué),等離子體與 激光反應(yīng)物理研究分部的Lewis教授及其團(tuán)隊(duì) 提供。 |
高能激光反應(yīng)實(shí)驗(yàn)
在如瑟夫阿普爾頓試驗(yàn),在Vulcan和ASTRA這兩個(gè)激光器裝置上,高能激光相互作用的試驗(yàn)大量采用了基于CCD的探測(cè)器。他們包括:
在(2-6keV)范圍的單光子能量測(cè)量
0.5-3Kev范圍內(nèi)的共振線譜測(cè)量
50-500eV范圍內(nèi)的軟X射線探測(cè)
可見(jiàn)及IR范圍內(nèi)的探測(cè)(IR到1.2um)
| 要想實(shí)現(xiàn)盡可能多的數(shù)據(jù)收集及盡可能寬的測(cè)量范圍,有必要要求CCD探測(cè)器有高的動(dòng)態(tài)范圍(12-16bit)和更多的像素(300K-2M像素)。不僅需要?jiǎng)討B(tài)范圍,還需要高的靈敏度和低的噪聲水平,這點(diǎn)非常必要,尤其是信噪比的問(wèn)題關(guān)系到測(cè)量團(tuán)隊(duì)的物理限。 |
zui近若干年,因?yàn)镃CD芯片半導(dǎo)體制冷技術(shù)的引入,降低了暗噪聲,以及A/D轉(zhuǎn)換性能的提升,這些都大的幫助相機(jī)得到意想不到的探測(cè)性能。
截止目前,已經(jīng)有十多臺(tái)相機(jī)在Vulcan和Astra裝置上使用,所采用的芯片為1024*256。由于采用這些獨(dú)到的CCD探測(cè)器所衍生的很多新技術(shù),幫助我們有效對(duì)超短脈沖等離子體的相互作用進(jìn)行研究。
由于更大的CCD陣列探測(cè)器的引入,以及更經(jīng)濟(jì)的處理能力,數(shù)字化的數(shù)據(jù)采集技術(shù)在將來(lái)的試驗(yàn)分析中,會(huì)發(fā)揮更主導(dǎo)的作用。
感謝D. Neely博士牛津郡,如瑟夫阿普爾頓試驗(yàn)室,中心激光裝置
顯微成像
基于EMCCD的單光子發(fā)射顯微系統(tǒng) I-125(碘125),用于小動(dòng)物成像.一直有人在努力得到小動(dòng)物的顯微成像。采用I-125作為跟蹤試劑變得越來(lái)越普遍。
孟玲,密歇根大學(xué)的核工程與放射科學(xué)學(xué)院博士,聯(lián)合安納堡(Ann Arbor)的V. A.醫(yī)療中心,和位于密歇根州大溪地(Grand Rapid)的溫安洛(Van Andel)研究所的研究人員,采用I
-125作標(biāo)記的抗體,縮氨酸和其他成分的合成物作為發(fā)光跟蹤劑,來(lái)進(jìn)行各種癌癥的分析檢測(cè)以及治療用放射性藥品的研究。
I-125通過(guò)捕獲電子而衰減。I-125衰減的三個(gè)zui高的光子發(fā)射概率為:27.5keV時(shí)為76%,31keV時(shí)為13%,35keV時(shí)為7%,其半衰期為60.14天。低帶隙能量和長(zhǎng)半衰期這兩個(gè)特點(diǎn),使其非常有利于單光子成像端面掃描計(jì)算成像(Single Photon Imaging Computed Tomography:SPECT)。
- 因?yàn)樗韫庾幽芰勘容^低,就可以非常準(zhǔn)確的進(jìn)行光子耦合和探測(cè)。
- 成像空間分辨率有可能達(dá)到小于100um級(jí)別。
zui近,他們又開(kāi)始研發(fā)新一代SPECT技術(shù),以期對(duì)射線光子進(jìn)行快速,高靈敏度的探測(cè)。其所采用的相機(jī)就是Andor光纖耦合的EMCCD(DF-897-FB)